Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 35A, 49A, 250uA, 0.0175 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRFZ44N

Transistor a canale N, 35A, 49A, 250uA, 0.0175 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRFZ44N
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5 - 9 1.09€ 1.33€
10 - 24 1.03€ 1.26€
25 - 49 0.97€ 1.18€
50 - 99 0.95€ 1.16€
100 - 153 0.86€ 1.05€
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Transistor a canale N, 35A, 49A, 250uA, 0.0175 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRFZ44N. Transistor a canale N, 35A, 49A, 250uA, 0.0175 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 49A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0175 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 1470pF. Costo): 360pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 63us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 160A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 94W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 44 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 23/04/2025, 01:25.

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IRFZ48N

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Transistor a canale N, 32A, 64A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 32A. ID (T...
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Transistor a canale N, 32A, 64A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 32A. ID (T=25°C): 64A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.014 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 1970pF. Costo): 470pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 68 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 210A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 34 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS
IRFZ48N
Transistor a canale N, 32A, 64A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 32A. ID (T=25°C): 64A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.014 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 1970pF. Costo): 470pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 68 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 210A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 34 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS
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Transistor a canale N, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 53A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 16.5m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 1696pF. Costo): 407pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 67 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 180A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 107W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 52 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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