Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 1.2A, 2A, 250uA, 3.6 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V - IRF710

Transistor a canale N, 1.2A, 2A, 250uA, 3.6 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V - IRF710
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Transistor a canale N, 1.2A, 2A, 250uA, 3.6 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V - IRF710. Transistor a canale N, 1.2A, 2A, 250uA, 3.6 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 2A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.6 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 400V. C(in): 170pF. Costo): 34pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 240 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 6A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. RoHS: sì. Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 8 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 02:25.

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Transistor a canale N, 3.3A, 5.5A, 250uA, 1 Ohm, TO-220, TO-220AB, 400V. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.5A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 400V. C(in): 700pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 270 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 22A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 38 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS
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