Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 10A, TO-247, TO-247, 1200V - HGTG5N120BND

Transistor a canale N, 10A, TO-247, TO-247, 1200V - HGTG5N120BND
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5 - 9 4.74€ 5.78€
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Transistor a canale N, 10A, TO-247, TO-247, 1200V - HGTG5N120BND. Transistor a canale N, 10A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 10A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 25A. Ic(impulso): 40A. Marcatura sulla cassa: 5N120BND. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 167W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 182 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: Transistore IGBT serie NPT con diodo iperveloce antiparallelo. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.45V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3.7V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 6V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.8V. Prodotto originale del produttore ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 14:25.

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HGTG10N120BND

HGTG10N120BND

Transistor a canale N, 17A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 17A. Alloggiamento: TO-247. Custodi...
HGTG10N120BND
Transistor a canale N, 17A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 17A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 35A. Ic(impulso): 80A. Marcatura sulla cassa: 10N120BND. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 298W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 165 ns. Td(acceso): 23 ns. Tecnologia: Transistore IGBT serie NPT con diodo iperveloce antiparallelo. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.45V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.7V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 6V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.8V
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Transistor a canale N, 17A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 17A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 35A. Ic(impulso): 80A. Marcatura sulla cassa: 10N120BND. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 298W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 165 ns. Td(acceso): 23 ns. Tecnologia: Transistore IGBT serie NPT con diodo iperveloce antiparallelo. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.45V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.7V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 6V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.8V
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IRFP064N
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1N5349B

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1N5349B
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