Transistor a canale N, 5.7A, 9A, 100uA, 1.12 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V - FQA9N90C-F109

Transistor a canale N, 5.7A, 9A, 100uA, 1.12 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V - FQA9N90C-F109. Transistor a canale N, 5.7A, 9A, 100uA, 1.12 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.12 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 2100pF. Costo): 175pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: FQA9N90C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 280W. RoHS: sì. Peso: 4.7g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa (tipico 44 nC). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 12:25.