Transistor a canale N, 150mA, 100uA, 3.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V - BSS123

Transistor a canale N, 150mA, 100uA, 3.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V - BSS123. Transistor a canale N, 150mA, 100uA, 3.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. ID (T=25°C): 150mA. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.5 Ohms. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 23pF. Costo): 6pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 11 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: serigrafia/codice SMD SA. Id(imp): 600mA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: SA. Equivalenti: BSS123LT1G, BSS123-7-F. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 3 ns. Tecnologia: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 2.8V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 23:25.