Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Semiconduttori Transistor FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 5A, 100uA, 1.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V - 2SK2605

Transistor a canale N, 5A, 100uA, 1.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V - 2SK2605
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Transistor a canale N, 5A, 100uA, 1.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V - 2SK2605. Transistor a canale N, 5A, 100uA, 1.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.9 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 1800pF. Costo): 105pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1000 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: High Speed, H.V. Protezione GS: sì. Id(imp): 15A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 140 ns. Td(acceso): 80 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIII). Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Prodotto originale del produttore Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 06/06/2025, 18:25.

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STP6NK90ZFP

STP6NK90ZFP

Transistor a canale N, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 900V. ID (T=100°C): 3.65A....
STP6NK90ZFP
Transistor a canale N, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 900V. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.56 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 1350pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 840 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. Protezione GS: sì. Id(imp): 23.2A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P6NK90ZFP. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V
STP6NK90ZFP
Transistor a canale N, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 900V. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.56 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 1350pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 840 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. Protezione GS: sì. Id(imp): 23.2A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P6NK90ZFP. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V
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HSP75

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IRFP31N50L

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IRFP31N50L
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Esaurito
PPE-TIN2-E008G

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Diametro: 28...45um. Eutettico: sì. Temperatura di saldatura: +280...+410°C. Nota: Pasta saldante ...
PPE-TIN2-E008G
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IRFP064N
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IRFP064N
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TKR101M1EE11

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MOR2WS-0R22

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Resistenza, 0.22 Ohms, 2W. Resistenza: 0.22 Ohms. Potenza: 2W. Tipo di resistore: strato metallico. ...
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Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 150A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-...
UF5405
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BT152-800R

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RoHS: sì. Igt (massimo): 32mA. Igt (tipo): 3mA. Ih (max): 60mA. Ih (tipo): 15mA. Nota: tiristore da...
BT152-800R
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