Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 1A, 2A, 1mA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220FI, 600V - 2SK2043

Transistor a canale N, 1A, 2A, 1mA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220FI, 600V - 2SK2043
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Transistor a canale N, 1A, 2A, 1mA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220FI, 600V - 2SK2043. Transistor a canale N, 1A, 2A, 1mA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220FI, 600V. ID (T=100°C): 1A. ID (T=25°C): 2A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 3.2 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FI. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 400pF. Costo): 55pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 8A. Marcatura sulla cassa: K2043. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 65 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: transistor MOSFET al silicio. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 4 v. Tensione gate/source (spenta) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 07:25.

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BUK455-600B

BUK455-600B

Transistor a canale N, 2.5A, 4A, 20uA, 2.1 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25...
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Transistor a canale N, 2.5A, 4A, 20uA, 2.1 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 20uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.1 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 750pF. Costo): 90pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 1200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Power MOSFET SMPS. Id(imp): 16A. ID (min): 2uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 10 ns. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione GS: NINCS
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Transistor a canale N, 2.5A, 4A, 20uA, 2.1 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 20uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.1 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 750pF. Costo): 90pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 1200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Power MOSFET SMPS. Id(imp): 16A. ID (min): 2uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 10 ns. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione GS: NINCS
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