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Transistor a canale N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, O-92Ammo-Pack, 60V - 2N7000

Transistor a canale N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, O-92Ammo-Pack, 60V - 2N7000
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Qnéuantità (Set da 5) Iva esclusa IVA incl.
1 - 2 0.76€ 0.93€
3 - 4 0.72€ 0.88€
5 - 9 0.68€ 0.83€
10 - 19 0.67€ 0.82€
20 - 49 0.65€ 0.79€
50 - 99 0.62€ 0.76€
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Set da 5

Transistor a canale N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, O-92Ammo-Pack, 60V - 2N7000. Transistor a canale N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, O-92Ammo-Pack, 60V. ID (T=25°C): 0.2A. Idss (massimo): 1000uA. Rds sulla resistenza attiva: 5 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): O-92Ammo-Pack. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 60pF. Costo): 25pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 0.5A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 2n7000. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. Peso: 0.18g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 10 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 0.8V. Prodotto originale del produttore Diotec Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 06/06/2025, 02:25.

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2N7000-ONS

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Transistor a canale N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. ID (T=25°C): 0.2A. Idss (massimo): ...
2N7000-ONS
Transistor a canale N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. ID (T=25°C): 0.2A. Idss (massimo): 1000uA. Rds sulla resistenza attiva: 5 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 60pF. Costo): 25pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 0.5A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 2n7000. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. Peso: 0.18g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 10 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 0.8V
2N7000-ONS
Transistor a canale N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. ID (T=25°C): 0.2A. Idss (massimo): 1000uA. Rds sulla resistenza attiva: 5 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 60pF. Costo): 25pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 0.5A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 2n7000. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. Peso: 0.18g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 10 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 0.8V
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