Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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STPS2045CT

STPS2045CT
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STPS2045CT. Condizionamento: tubo di plastica. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Raddoppiare: Raddoppiare. Corrente diretta (AV): 10A/diode. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tensione di soglia Vf (max): 0.65V. Tensione diretta Vf (min): 0.72V. VRRM: 45V. Numero di terminali: 3. Nota: Diodo raddrizzatore Schottky. Unità di condizionamento: 50. Nota: doppio diodo al silicio. Spec info: total 20A, IFSM 180App (t=10ms). Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Corrente diretta (AV): 10A. Nota: 20A/150App. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. VRRM: 60V. Nota: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky
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Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Corrente diretta (AV): 10A. Nota: 20A/150App. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. VRRM: 60V. Nota: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky
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STPS20H100CT
Condizionamento: tubo di plastica. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatore Schottky di potenza ad alta tensione. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 250A. RM (max): 6mA. RM (min): 4.5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.67V. Tensione diretta Vf (min): 0.56V. VRRM: 100V. Numero di terminali: 3. Nota: Diodo raddrizzatore Schottky. Unità di condizionamento: 50. Spec info: IFSM--250App, t=10mS
STPS20H100CT
Condizionamento: tubo di plastica. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatore Schottky di potenza ad alta tensione. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 250A. RM (max): 6mA. RM (min): 4.5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.67V. Tensione diretta Vf (min): 0.56V. VRRM: 100V. Numero di terminali: 3. Nota: Diodo raddrizzatore Schottky. Unità di condizionamento: 50. Spec info: IFSM--250App, t=10mS
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Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Raddoppiare: Raddoppiare. Corrente diretta (AV): 10A/diode. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. VRRM: 45V. Funzione: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. Spec info: total 20A, IFSM 150App
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Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Raddoppiare: Raddoppiare. Corrente diretta (AV): 10A/diode. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. VRRM: 45V. Funzione: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. Spec info: total 20A, IFSM 150App
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