Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

S1M-FAI

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Qnéuantità (Set da 10) Iva esclusa IVA incl.
1 - 1 1.07€ 1.31€
2 - 2 1.02€ 1.24€
3 - 4 0.96€ 1.17€
5 - 9 0.91€ 1.11€
10 - 24 0.85€ 1.04€
25 - 49 0.80€ 0.98€
50 - 644 0.75€ 0.92€
Qnéuantità (Set da 10) U.P
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Set da 10

S1M-FAI. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC. VRRM: 1000V. Do: 12pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 1.8us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodi raddrizzatori per uso generale. Nota: serigrafia/codice SMD 1M. Nota: alloggiamento 4,6x2,7 mm. Marcatura sulla cassa: 1 M. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 06:25.

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S1M

S1M

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore montato in superficie (SMD). Alloggiamento: s...
S1M
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore montato in superficie (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMA. Custodia (standard JEDEC): DO-214AC. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 1A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..50uA. Ifsm [A]: 32A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1.1V @ 1A. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: sì. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC. Temperatura di funzionamento: -55...+155°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V
S1M
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore montato in superficie (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMA. Custodia (standard JEDEC): DO-214AC. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 1A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..50uA. Ifsm [A]: 32A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1.1V @ 1A. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: sì. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC. Temperatura di funzionamento: -55...+155°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V
Set da 10
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Nota: Voffset 600V, Vclamp 15.6V. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: c...
IR2153S
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IR2153S
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IRF730

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Transistor a canale N, 3.3A, 5.5A, 250uA, 1 Ohm, TO-220, TO-220AB, 400V. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=...
IRF730
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IRF730
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R46KI322000M2M

R46KI322000M2M

Tensione CC: 560V. Capacità: 220 nf. Tensione CA: 275V. Tipo: MKP X2. Materiale del condensatore: f...
R46KI322000M2M
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R46KI322000M2M
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CEL100UF200V

CEL100UF200V

Tensione CC: 200V. Capacità: 100uF. Diametro: 16mm. Durata di vita: 2000 ore. Lunghezza: 26mm. Conf...
CEL100UF200V
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CEL100UF200V
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IRLZ44N

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Transistor a canale N, 33A, 47A, 250uA, 0.022 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 33A. ID (T...
IRLZ44N
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TIP127

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Transistor NPN, TO-220, 5A, TO-220, 100V, -100V, -5A. Alloggiamento: TO-220. Corrente del collettore...
TIP127
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TIP127
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Quantità in magazzino : 6440
S1M-FAI

S1M-FAI

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA ...
S1M-FAI
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S1M-FAI
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1N4004

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Alloggiamento: DO-41. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41...
1N4004
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1N4004
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