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S1M-FAI

S1M-FAI
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Qnéuantità (Set da 10) Iva esclusa IVA incl.
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2 - 2 1.02€ 1.24€
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5 - 9 0.91€ 1.11€
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25 - 49 0.80€ 0.98€
50 - 646 0.75€ 0.92€
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Set da 10

S1M-FAI. Do: 12pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 1.8us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodi raddrizzatori per uso generale. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Nota: serigrafia/codice SMD 1M. Nota: alloggiamento 4,6x2,7 mm. Marcatura sulla cassa: 1 M. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.

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S1M

S1M

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore montato in superficie (SMD). Alloggiamento: s...
S1M
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore montato in superficie (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMA. Custodia (standard JEDEC): DO-214AC. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 1A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..50uA. Ifsm [A]: 32A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1.1V @ 1A. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: sì. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC. Temperatura di funzionamento: -55...+155°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V
S1M
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore montato in superficie (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMA. Custodia (standard JEDEC): DO-214AC. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 1A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..50uA. Ifsm [A]: 32A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1.1V @ 1A. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: sì. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC. Temperatura di funzionamento: -55...+155°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V
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R46KI322000M2M

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Tensione CC: 560V. Capacità: 220 nf. Tensione CA: 275V. Tipo: MKP X2. Materiale del condensatore: f...
R46KI322000M2M
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R46KI322000M2M
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Tensione CC: 200V. Capacità: 100uF. Diametro: 16mm. Durata di vita: 2000 ore. Lunghezza: 26mm. Conf...
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C(in): 1700pF. Costo): 400pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 80 ns. ...
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Resistenza: 220 Ohms. Potenza: 0.125W. Alloggiamento: SMD 0805. Tolleranza: 1%. Resistenza (R): 220 ...
CR-05FL7-220R
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CR-05FL7-220R
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CR-06JL7-27K

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Resistenza: 27k Ohms. Potenza: 0.25W. Alloggiamento: SMD 1206. Tolleranza: 5%. Resistenza (R): 27k O...
CR-06JL7-27K
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CR-06JL7-27K
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TIP127

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Alloggiamento: TO-220. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Guad...
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S1M-FAI

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Do: 12pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 1.8us. Ma...
S1M-FAI
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RoHS: sì. Alloggiamento: DO-41. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Ca...
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