Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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FR607

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10 - 24 0.36€ 0.44€
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FR607. Do: 100pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 200A. RM (max): 200uA. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--200Ap/8.3mS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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HER608

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Do: 65pF. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 150A. RM (max): 200uA....
HER608
Do: 65pF. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 150A. RM (max): 200uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 (8.8x7mm). Tr: 75 ns. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: 150Ap/8.3ms
HER608
Do: 65pF. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 150A. RM (max): 200uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 (8.8x7mm). Tr: 75 ns. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: 150Ap/8.3ms
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