Coppia di transistor MOSFET N-P

Transistor MOSFET. Quantità per scatola: 2. Funzione: STripFET™ II Power MOSFET. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: 2xN-CH 20V. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: N&P PowerTrench MOSFET. Nota: Transistor a effetto di campo con modalità di potenziamento doppia. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 11W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor a effetto di campo con modalità di potenziamento doppia. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 11W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: N&P PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 )

Transistor MOSFET. Quantità per scatola: 2. Funzione: SAMSUNG 0505-001417. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: SMD SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8