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Semiconduttori Transistor
Coppia di transistor MOSFET N-P

Coppia di transistor MOSFET N-P

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SI4532CDY

SI4532CDY

Transistor MOSFET. C(in): 340pF. Costo): 67pF. Tipo di canale: N-P. Protezione drain-source: NINCS. ...
SI4532CDY
Transistor MOSFET. C(in): 340pF. Costo): 67pF. Tipo di canale: N-P. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 2. Diodo Trr (min.): 30 ns. Funzione: IDM--24&15App, td(on)--7.5&5.5nS, td(off)--14&17nS. Protezione GS: NINCS. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: D-S-MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8
SI4532CDY
Transistor MOSFET. C(in): 340pF. Costo): 67pF. Tipo di canale: N-P. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 2. Diodo Trr (min.): 30 ns. Funzione: IDM--24&15App, td(on)--7.5&5.5nS, td(off)--14&17nS. Protezione GS: NINCS. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: D-S-MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8
Set da 1
1.01€ IVA incl.
(0.83€ Iva esclusa)
1.01€
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SI4542DY

SI4542DY

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: IDM--20&20App, td(on)--6...
SI4542DY
Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: IDM--20&20App, td(on)--6&13nS, td(off)--18&47nS. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: D-S-MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8
SI4542DY
Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: IDM--20&20App, td(on)--6&13nS, td(off)--18&47nS. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: D-S-MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8
Set da 1
2.72€ IVA incl.
(2.23€ Iva esclusa)
2.72€
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SI9926BDY

SI9926BDY

Transistor MOSFET. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: c...
SI9926BDY
Transistor MOSFET. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: (G-S) MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8
SI9926BDY
Transistor MOSFET. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: (G-S) MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8
Set da 1
1.44€ IVA incl.
(1.18€ Iva esclusa)
1.44€
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SI9936BDY

SI9936BDY

Transistor MOSFET. Quantità per scatola: 2. Funzione: 9.31k Ohms. Numero di terminali: 8:1. Assembl...
SI9936BDY
Transistor MOSFET. Quantità per scatola: 2. Funzione: 9.31k Ohms. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: 2xN-CH 30V. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8
SI9936BDY
Transistor MOSFET. Quantità per scatola: 2. Funzione: 9.31k Ohms. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: 2xN-CH 30V. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8
Set da 1
1.92€ IVA incl.
(1.57€ Iva esclusa)
1.92€
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SI9943DYT1

SI9943DYT1

Transistor MOSFET. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: c...
SI9943DYT1
Transistor MOSFET. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: SMD. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8
SI9943DYT1
Transistor MOSFET. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: SMD. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8
Set da 1
19.40€ IVA incl.
(15.90€ Iva esclusa)
19.40€
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SI9945AEY

SI9945AEY

Transistor MOSFET. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 2. Diodo Trr (min.): 45 ns. ...
SI9945AEY
Transistor MOSFET. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 2. Diodo Trr (min.): 45 ns. Funzione: 9.31k Ohms. Protezione GS: NINCS. ID (T=100°C): 3.7A. Idss (massimo): 3.2A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1uA. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: 2xN-CH 60V. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8
SI9945AEY
Transistor MOSFET. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 2. Diodo Trr (min.): 45 ns. Funzione: 9.31k Ohms. Protezione GS: NINCS. ID (T=100°C): 3.7A. Idss (massimo): 3.2A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1uA. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: 2xN-CH 60V. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8
Set da 1
1.45€ IVA incl.
(1.19€ Iva esclusa)
1.45€
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SP8M2

SP8M2

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.059 Ohms / 0.06...
SP8M2
Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.059 Ohms / 0.065 Ohms. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8
SP8M2
Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.059 Ohms / 0.065 Ohms. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8
Set da 1
1.43€ IVA incl.
(1.17€ Iva esclusa)
1.43€
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SP8M3

SP8M3

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.052 Ohms / 0.05...
SP8M3
Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.052 Ohms / 0.057 Ohms. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8
SP8M3
Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.052 Ohms / 0.057 Ohms. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8
Set da 1
2.50€ IVA incl.
(2.05€ Iva esclusa)
2.50€
Quantità in magazzino : 1
SP8M4

SP8M4

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.012 Ohms / 0.02...
SP8M4
Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.012 Ohms / 0.020 Ohms. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: SP8M4FU6TB. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8
SP8M4
Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.012 Ohms / 0.020 Ohms. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: SP8M4FU6TB. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8
Set da 1
3.78€ IVA incl.
(3.10€ Iva esclusa)
3.78€
Esaurito
STS4DNF30L

STS4DNF30L

Transistor MOSFET. Quantità per scatola: 2. Funzione: STripFET™ Power MOSFET. Numero di terminali...
STS4DNF30L
Transistor MOSFET. Quantità per scatola: 2. Funzione: STripFET™ Power MOSFET. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: 2xN-CH 30V. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8
STS4DNF30L
Transistor MOSFET. Quantità per scatola: 2. Funzione: STripFET™ Power MOSFET. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: 2xN-CH 30V. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8
Set da 1
1.23€ IVA incl.
(1.01€ Iva esclusa)
1.23€
Quantità in magazzino : 40
STS5DNF20V

STS5DNF20V

Transistor MOSFET. Quantità per scatola: 2. Funzione: STripFET™ II Power MOSFET. Numero di termin...
STS5DNF20V
Transistor MOSFET. Quantità per scatola: 2. Funzione: STripFET™ II Power MOSFET. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: 2xN-CH 20V. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8
STS5DNF20V
Transistor MOSFET. Quantità per scatola: 2. Funzione: STripFET™ II Power MOSFET. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: 2xN-CH 20V. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8
Set da 1
1.22€ IVA incl.
(1.00€ Iva esclusa)
1.22€
Quantità in magazzino : 40
STU309D

STU309D

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: N&P PowerTrench MOSFET. ...
STU309D
Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: N&P PowerTrench MOSFET. Nota: Transistor a effetto di campo con modalità di potenziamento doppia. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 11W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor a effetto di campo con modalità di potenziamento doppia. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C
STU309D
Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: N&P PowerTrench MOSFET. Nota: Transistor a effetto di campo con modalità di potenziamento doppia. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 11W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor a effetto di campo con modalità di potenziamento doppia. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C
Set da 1
2.75€ IVA incl.
(2.25€ Iva esclusa)
2.75€
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STU407D

STU407D

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 4. Pd (dissip...
STU407D
Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 11W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: N&P PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 )
STU407D
Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 11W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: N&P PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 )
Set da 1
4.71€ IVA incl.
(3.86€ Iva esclusa)
4.71€
Quantità in magazzino : 2
TPC8303

TPC8303

Transistor MOSFET. Quantità per scatola: 2. Funzione: SAMSUNG 0505-001417. Numero di terminali: 8:1...
TPC8303
Transistor MOSFET. Quantità per scatola: 2. Funzione: SAMSUNG 0505-001417. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: SMD SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8
TPC8303
Transistor MOSFET. Quantità per scatola: 2. Funzione: SAMSUNG 0505-001417. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: SMD SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8
Set da 1
7.49€ IVA incl.
(6.14€ Iva esclusa)
7.49€
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