Coppia di transistor MOSFET N-P

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: Q1 N-Ch 7A, 30V RDS(on)=0.030 Ohms, Vgs=10V. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Spec info: Q2 P-Ch, 5A, 30V RDS(on)=0.052 Ohms, Vgs=10V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: doppio transistor MOSFET, Canali N e P, PowerTrench . Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: Y4. Marcatura sulla cassa: Y4. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Custodia (secondo scheda tecnica): SMT5

Transistor MOSFET. Diodo CE: NINCS. Tipo di canale: N-P. Funzione: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). Diodo al germanio: NINCS. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 137 ns. Td(acceso): 36ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.45V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.2V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V

Transistor MOSFET. Diodo CE: NINCS. Tipo di canale: N-P. Funzione: Ic 70A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 330A (pulsed). Diodo al germanio: NINCS. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 290W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 170 ns. Td(acceso): 47 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V

Transistor MOSFET. Quantità per scatola: 2. Funzione: 2xN-CH 20V, Fast Switching. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: 0.05R & 0.1R. ID (T=25°C): 4.7A & 3.5A. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.4W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: MOSFET di potenza HEXFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v

Transistor MOSFET. C(in): 780pF. Costo): 430pF. Tipo di canale: N-P. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 2. Diodo Trr (min.): 47 ns. Funzione: 0.029R & 0.58R. Protezione GS: NINCS. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: N&P-HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Nota: Rds-on 0.029 Ohms / 0.058 Ohms. Nota: ( = P23AF 4532 SMD ). Marcatura sulla cassa: F7319. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: N&P-HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Spec info: 0.043 Ohms & 0.095 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. RoHS: sì. Spec info: 0.029 Ohms & 0.058 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: 28 & 65m Ohms). Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SOP-8

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: IDM--20App, td(on)--12&8nS, td(off)--23&21nS. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: D-S-MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. C(in): 340pF. Costo): 67pF. Tipo di canale: N-P. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 2. Diodo Trr (min.): 30 ns. Funzione: IDM--24&15App, td(on)--7.5&5.5nS, td(off)--14&17nS. Protezione GS: NINCS. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: D-S-MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: IDM--30&30App, td(on)--6&7nS, td(off)--30&40nS. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: D-S-MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: IDM--20&20App, td(on)--6&13nS, td(off)--18&47nS. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: D-S-MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: (G-S) MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. Quantità per scatola: 2. Funzione: 9.31k Ohms. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: 2xN-CH 30V. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: SMD. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 2. Diodo Trr (min.): 45 ns. Funzione: 9.31k Ohms. Protezione GS: NINCS. ID (T=100°C): 3.7A. Idss (massimo): 3.2A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1uA. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: 2xN-CH 60V. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. Quantità per scatola: 2. Funzione: 9.31k Ohms. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: 2xN-CH 20V. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: modulo. Configurazione: Avvitato. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: SK85MH10. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 80A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3.3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 120ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 570 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 9100pF. Famiglia di componenti: ponte MOSFET completo, NMOS. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.059 Ohms / 0.065 Ohms. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.052 Ohms / 0.057 Ohms. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.012 Ohms / 0.020 Ohms. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: SP8M4FU6TB. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8

Transistor MOSFET. Quantità per scatola: 2. Funzione: STripFET™ Power MOSFET. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: 2xN-CH 30V. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8