Transistor MOSFET. C(in): 340pF. Costo): 67pF. Tipo di canale: N-P. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 2. Diodo Trr (min.): 30 ns. Funzione: IDM--24&15App, td(on)--7.5&5.5nS, td(off)--14&17nS. Protezione GS: NINCS. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: D-S-MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8