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BY550-400

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BY550-400. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 300A. RM (max): 5uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 400V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms). Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 15:25.

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BY550-1000
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Silicon Rectifiers. Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 300A. RM (max): 20uA. RM (min): 20uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--300Ap t=8.3mS
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Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Silicon Rectifiers. Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 300A. RM (max): 20uA. RM (min): 20uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--300Ap t=8.3mS
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BY550-600
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 300A. RM (max): 20uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--300Ap/8.3mS
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Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 300A. RM (max): 20uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--300Ap/8.3mS
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Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Silicon Rectifiers...
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Do: 80pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: si...
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