Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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SF68G

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SF68G. Do: 80pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ultraveloce. Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 150A. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 (9.1x9.1mm). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm 150Ap/8.3ms. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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HER608

HER608

Do: 65pF. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 150A. RM (max): 200uA....
HER608
Do: 65pF. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 150A. RM (max): 200uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 (8.8x7mm). Tr: 75 ns. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: 150Ap/8.3ms
HER608
Do: 65pF. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 150A. RM (max): 200uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 (8.8x7mm). Tr: 75 ns. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: 150Ap/8.3ms
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Do: 150pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 2500 ns....
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