Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

SF68G

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SF68G. Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 150A. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 (9.1x9.1mm). VRRM: 600V. Do: 80pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ultraveloce. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 150Ap/8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. Prodotto originale del produttore Taiwan Semicon. Quantità in stock aggiornata il 12/08/2025, 14:08.

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HER608

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Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 150A. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 (8...
HER608
Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 150A. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 (8.8x7mm). VRRM: 1000V. Do: 65pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione ad alta velocità. RM (max): 200uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Spec info: 150Ap/8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tr: 75 ns. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V
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Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 150A. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 (8.8x7mm). VRRM: 1000V. Do: 65pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione ad alta velocità. RM (max): 200uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Spec info: 150Ap/8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tr: 75 ns. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V
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Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 400A. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 ( ...
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FR607

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