Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

BC517_D74Z

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BC517_D74Z. Corrente del collettore: 1.2A. Alloggiamento: TO-92. Tipo di transistor: transistor NPN. Polarità: NPN. Tipo: transistor Darlington. Tensione collettore-emettitore VCEO: 30V. Potenza: 0.625W. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200MHz. Guadagno hFE minimo: 30000. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Vebo: 10V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC516. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 01:25.

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BC517

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Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200MHz...
BC517
Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200MHz. Guadagno hFE minimo: 30000. Corrente del collettore: 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Vebo: 10V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC516. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
BC517
Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200MHz. Guadagno hFE minimo: 30000. Corrente del collettore: 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Vebo: 10V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC516. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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