Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BC415C

BC415C
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Qnéuantità (Set da 10) Iva esclusa IVA incl.
1 - 1 1.16€ 1.42€
2 - 2 1.10€ 1.34€
3 - 4 1.05€ 1.28€
5 - 9 0.99€ 1.21€
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BC415C. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: hFE 420...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 100mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 01:25.

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RoHS: sì. Alloggiamento: TO-92. Resistenza B: sì. Diodo BE: transistor PNP. Resistenza BE: saldatu...
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RoHS: sì. Alloggiamento: TO-92. Resistenza B: sì. Diodo BE: transistor PNP. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-92. Costo): TO-226AA. Diodo CE: montaggio a foro passante su PCB. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 100mA. Ic(impulso): +150°C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC550C
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RoHS: sì. Alloggiamento: TO-92. Resistenza B: sì. Diodo BE: transistor PNP. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-92. Costo): TO-226AA. Diodo CE: montaggio a foro passante su PCB. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 100mA. Ic(impulso): +150°C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC550C
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