Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BC368

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10 - 24 0.19€ 0.23€
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BC368. Costo): 40pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 63. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 00:25.

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BC368-PHI

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40 MHz. Guadagno hFE massimo: 375. ...
BC368-PHI
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40 MHz. Guadagno hFE massimo: 375. Guadagno hFE minimo: 85. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 32V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC369
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40 MHz. Guadagno hFE massimo: 375. Guadagno hFE minimo: 85. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 32V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC369
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BC639

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RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. ...
BC639
RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC639. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 200 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC640
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RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC639. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 200 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC640
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BC637

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C(in): 50pF. Costo): 7pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Corrente del collettore: 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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C(in): 50pF. Costo): 7pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Corrente del collettore: 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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