Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BAS85

BAS85
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25 - 49 0.57€ 0.70€
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BAS85. Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 4A. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80C. VRRM: 30 v. Do: 10pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodi a barriera Schottky in vetro a commutazione rapida. RM (max): 2uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200mW. RoHS: sì. Spec info: IFSM--4A t=10ms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.8V. Tensione diretta Vf (min): 0.24V. Prodotto originale del produttore Taiwan Semicon. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 04:25.

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BAS85-GS08

BAS85-GS08

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo Schottky per piccoli segnali, montaggio SMD. Alloggiamento:...
BAS85-GS08
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo Schottky per piccoli segnali, montaggio SMD. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOD80. Custodia (standard JEDEC): Sb. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 0.2A. Ifsm [A]: 0.6A. Tensione diretta Vfmax (V): 0.4V @ 10mA. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 30 v. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 0.2uA..2uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 5 ns. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80C. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.8V. Tensione diretta Vf (min): 0.24V. VRRM: 30 v
BAS85-GS08
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo Schottky per piccoli segnali, montaggio SMD. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOD80. Custodia (standard JEDEC): Sb. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 0.2A. Ifsm [A]: 0.6A. Tensione diretta Vfmax (V): 0.4V @ 10mA. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 30 v. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 0.2uA..2uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 5 ns. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80C. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.8V. Tensione diretta Vf (min): 0.24V. VRRM: 30 v
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