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2SK2129

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2SK2129. C(in): 730pF. Costo): 90pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: High-speed switching--tf = 50ns. Id(imp): 6A. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 0.1mA. Marcatura sulla cassa: K2129. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 3.2 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 160 ns. Td(acceso): 35 ns. Tecnologia: Power F-MOS FET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 13:25.

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C(in): 400pF. Costo): 55pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 8A. ID (T=100°C): 1A. ID (T=25°C): 2A. Idss (massimo): 1mA. Marcatura sulla cassa: K2043. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Rds sulla resistenza attiva: 3.2 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 65 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: transistor MOSFET al silicio. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FI. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 4 v. Tensione gate/source (spenta) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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