Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 140mA, TO-126, 160V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - 2SA1209

Transistor NPN, 140mA, TO-126, 160V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - 2SA1209
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10 - 24 1.98€ 2.42€
25 - 49 1.87€ 2.28€
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Transistor NPN, 140mA, TO-126, 160V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - 2SA1209. Transistor NPN, 140mA, TO-126, 160V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente del collettore: 140mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: Velocità di commutazione rapida. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 100. Marcatura sulla cassa: A1209. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2911. Quantità in stock aggiornata il 15/04/2025, 16:25.

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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: CTV-NF/VA. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 160. Marcatura sulla cassa: A1013-Y. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.6V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2383. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: CTV-NF/VA. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 160. Marcatura sulla cassa: A1013-Y. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.6V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2383. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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