Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2SA1209

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2SA1209. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: Velocità di commutazione rapida. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 140mA. Marcatura sulla cassa: A1209. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2911. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: CTV-NF/VA. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 160. Corrente del collettore: 1A. Marcatura sulla cassa: A1013-Y. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2383. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: CTV-NF/VA. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 160. Corrente del collettore: 1A. Marcatura sulla cassa: A1013-Y. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2383. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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