2N3055
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.93€ | 3.57€ |
| 5 - 9 | 2.79€ | 3.40€ |
| 10 - 24 | 2.64€ | 3.22€ |
| 25 - 27 | 2.49€ | 3.04€ |
| Qnéuantità | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.93€ | 3.57€ |
| 5 - 9 | 2.79€ | 3.40€ |
| 10 - 24 | 2.64€ | 3.22€ |
| 25 - 27 | 2.49€ | 3.04€ |
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2N3055. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 60V. Corrente del collettore: 15A. Potenza: 115W. Alloggiamento: TO-3. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 10:25.
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2N3055-ONS
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2.5 MHz. Funzione: Amplificatore au...
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2.5 MHz. Funzione: Amplificatore audio lineare e switching. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 15A. Numero di terminali: 2. Temperatura: +200°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: tecnologia planare a base epitassiale . Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 70V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ2955. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2.5 MHz. Funzione: Amplificatore audio lineare e switching. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 15A. Numero di terminali: 2. Temperatura: +200°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: tecnologia planare a base epitassiale . Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 70V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ2955. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
2N3055-PMC
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2.5 MHz. Guadagno hFE massimo: 70. ...
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2.5 MHz. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 15A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 70V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ2955. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2.5 MHz. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 15A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 70V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ2955. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
2N3055-CDIL
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2.5 MHz. Funzione: Amplificatore au...
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2.5 MHz. Funzione: Amplificatore audio lineare e switching. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 15A. Numero di terminali: 2. Temperatura: +200°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: tecnologia planare a base epitassiale . Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 70V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ2955. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2.5 MHz. Funzione: Amplificatore audio lineare e switching. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 15A. Numero di terminali: 2. Temperatura: +200°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: tecnologia planare a base epitassiale . Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 70V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ2955. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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