Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2N3055-CDIL

2N3055-CDIL
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5 - 9 1.84€ 2.24€
10 - 24 1.75€ 2.14€
25 - 49 1.65€ 2.01€
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2N3055-CDIL. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2.5 MHz. Funzione: Amplificatore audio lineare e switching. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 15A. Numero di terminali: 2. Temperatura: +200°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: tecnologia planare a base epitassiale . Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 70V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ2955. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 10:25.

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2.5 MHz. Funzione: Amplificatore audio lineare e switching. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 15A. Numero di terminali: 2. Temperatura: +200°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: tecnologia planare a base epitassiale . Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 70V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ2955. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
2N3055-ONS
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2.5 MHz. Funzione: Amplificatore audio lineare e switching. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 15A. Numero di terminali: 2. Temperatura: +200°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: tecnologia planare a base epitassiale . Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 70V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ2955. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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