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Vishay (siliconix)
Vishay (siliconix) SI4431CDY-T1-GE3 P-Channel MOSFET 30V 5.6A SO8
Riferimento prodotto : SI4431CDY-T1-GE3
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Specifiche tecniche
5 parametri| Parametro | Valore |
| Tensione Vdss massima | 30V |
| Corrente Id massima | 5.6A |
| Resistenza Rds-on | 0.032Ohm |
| Parametro (Package) | SO8 |
Descrizione tecnica del prodotto (SI4431CDY-T1-GE3):
Il SI4431CDY-T1-GE3 è un MOSFET a canale P ad alte prestazioni di Vishay (siliconix) in un contenitore SO8. Le applicazioni tipiche includono la gestione dell'energia, la commutazione del carico, la protezione della batteria e i convertitori DC-DC. Manufacturer info: SI4431CDY-T1-GE3 - 30V 5.6A 1.6W Rdson=0.032Ohm SMD SO8 P-MOSFET - VISHAY.