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Vishay
Vishay SI2333DDS-T1-GE3 P-Channel MOSFET 12V 6A SOT-23
Riferimento prodotto : SI2333DDS-T1-GE3
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Specifiche tecniche
5 parametri| Parametro | Valore |
| Tensione Vdss massima | 12V |
| Corrente Id massima | 6A |
| Resistenza Rds-on | 0.023Ohm |
| Parametro (Package) | SOT-23 |
Descrizione tecnica del prodotto (SI2333DDS-T1-GE3):
Il SI2333DDS-T1-GE3 è un MOSFET a canale P ad alte prestazioni di Vishay in un contenitore SOT-23. Le applicazioni tipiche includono la gestione dell'energia, la commutazione del carico, la protezione della batteria e i convertitori DC-DC. Manufacturer info: SI2333DDS-T1-GE3 - 12V 6A 1.7W Rds=0.023Ohm SMD SOT-23 P-MOSFET - VISHAY.