Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V - MJD45H11T4G

Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V - MJD45H11T4G. Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DPAK CASE 369C. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Costo): 45pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 85 MHz. Funzione: transistor di potenza complementari. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 60. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: 45H11G. Equivalenti: MJD45H11G, MJD45H11J. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJD45H11T4G. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Tf (tipo): 140 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 23:25.