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Transistor NPN, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V - BUL45GD2G

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V - BUL45GD2G
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1 - 4 2.18€ 2.66€
5 - 9 2.07€ 2.53€
10 - 24 1.96€ 2.39€
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Transistor NPN, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V - BUL45GD2G. Transistor NPN, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220AB CASE 221A-09. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Costo): 50pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 13 MHz. Funzione: Transistor di potenza NPN bipolare ad alta velocità e alto guadagno. Guadagno hFE massimo: 34. Guadagno hFE minimo: 22. Ic(impulso): 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.28V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 12V. Quantità per scatola: 1. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 14:25.

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MJE18004

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Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220AB, 450V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Costo): 2.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 13 MHz. Funzione: Applicazioni di alimentazione in modalità switching. Guadagno hFE massimo: 34. Guadagno hFE minimo: 12:1. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 400us. Tf(min): 70us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220AB, 450V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Costo): 2.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 13 MHz. Funzione: Applicazioni di alimentazione in modalità switching. Guadagno hFE massimo: 34. Guadagno hFE minimo: 12:1. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 400us. Tf(min): 70us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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