Transistor NPN, 8A, 700V - BU508AFI
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.18€ | 2.66€ |
| 5 - 9 | 2.07€ | 2.53€ |
| 10 - 24 | 2.01€ | 2.45€ |
| 25 - 49 | 1.96€ | 2.39€ |
| 50 - 99 | 1.92€ | 2.34€ |
| 100 - 249 | 1.85€ | 2.26€ |
| 250+ | 1.79€ | 2.18€ |
| Qnéuantità | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.18€ | 2.66€ |
| 5 - 9 | 2.07€ | 2.53€ |
| 10 - 24 | 2.01€ | 2.45€ |
| 25 - 49 | 1.96€ | 2.39€ |
| 50 - 99 | 1.92€ | 2.34€ |
| 100 - 249 | 1.85€ | 2.26€ |
| 250+ | 1.79€ | 2.18€ |
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Transistor NPN, 8A, 700V - BU508AFI. Transistor NPN, 8A, 700V. Corrente del collettore: 8A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 34W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Prodotto originale del produttore Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 10:25.
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: commutazione ad alta velocità. Guadagno hFE massimo: 10. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: J6810A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 6V
Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: commutazione ad alta velocità. Guadagno hFE massimo: 10. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: J6810A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 6V
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