Transistor NPN BD679A, TO-126 (TO-225, SOT-32), 4A, 4A, TO-126, 80V

Transistor NPN BD679A, TO-126 (TO-225, SOT-32), 4A, 4A, TO-126, 80V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.66€
5-24
0.56€
25-49
0.48€
50-99
0.42€
100+
0.33€
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 60

Transistor NPN BD679A, TO-126 (TO-225, SOT-32), 4A, 4A, TO-126, 80V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. Corrente del collettore: 4A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (standard JEDEC): TO-225. Diodo BE: no. Diodo CE: sì. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. FT: 10 MHz. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Frequenza di taglio ft [MHz]: -. Guadagno hFE minimo: 750. Ic(impulso): 6A. Marcatura del produttore: BD679A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Quantità per scatola: 1. Resistenza BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BD680A. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Temperatura: +150°C. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.8V. Tipo di transistor: NPN. Transistor Darlington?: sì. Vcbo: 80V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 04:24

Documentazione tecnica (PDF)
BD679A
33 parametri
Alloggiamento
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Corrente collettore Ic [A], max.
4A
Corrente del collettore
4A
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-126
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
80V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Custodia (standard JEDEC)
TO-225
Diodo BE
no
Diodo CE
Dissipazione massima Ptot [W]
40W
FT
10 MHz
Famiglia di componenti
Transistor di potenza NPN Darlington
Guadagno hFE minimo
750
Ic(impulso)
6A
Marcatura del produttore
BD679A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
40W
Quantità per scatola
1
Resistenza BE
R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms
RoHS
Spec info
transistor complementare (coppia) BD680A
Temperatura di funzionamento
-...+150°C
Temperatura massima
+150°C.
Temperatura
+150°C
Tensione collettore-emettitore Uceo [V]
80V
Tensione di saturazione VCE(sat)
2.8V
Tipo di transistor
NPN
Transistor Darlington?
Vcbo
80V
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics

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