Transistor NPN BD681, TO-126 (TO-225, SOT-32), 100V, 4A, 4A, TO-126, 100V

Transistor NPN BD681, TO-126 (TO-225, SOT-32), 100V, 4A, 4A, TO-126, 100V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.51€
5-24
0.43€
25-49
0.38€
50-99
0.34€
100+
0.29€
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Transistor NPN BD681, TO-126 (TO-225, SOT-32), 100V, 4A, 4A, TO-126, 100V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Corrente del collettore: 4A. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Condizionamento: tubus. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 4A. Corrente massima 1: 4A. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 750. Diodo BE: no. Diodo CE: sì. Diodo incorporato: sì. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. FT: 10 MHz. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Frequenza di taglio ft [MHz]: -. Guadagnare hfe: 750. Guadagno hFE massimo: 750. Ic(impulso): 6A. Informazioni: -. MSL: -. Marcatura del produttore: BD681. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Polarità: bipolari. Potenza: 40W. Quantità per scatola: 1. Resistenza BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. RoHS: sì. Serie: BD681. Spec info: transistor complementare (coppia) BD682. Temperatura massima: +150°C.. Tensione (collettore - emettitore): 100V. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Tipo di montaggio: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Tipo: transistor Darlington. Transistor Darlington?: sì. VCBO di tensione-base Collector: 100V. Vcbo: 100V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 04:24

Documentazione tecnica (PDF)
BD681
45 parametri
Alloggiamento
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Tensione collettore-emettitore VCEO
100V
Corrente del collettore
4A
Corrente collettore Ic [A], max.
4A
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-126
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
100V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Condizionamento
tubus
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente collettore Ic [A]
4A
Corrente massima 1
4A
Custodia (standard JEDEC)
SOT-32
DC Collector/Base Gain Hfe Min.
750
Diodo BE
no
Diodo CE
Diodo incorporato
Dissipazione massima Ptot [W]
40W
FT
10 MHz
Famiglia di componenti
Transistor di potenza NPN Darlington
Guadagnare hfe
750
Guadagno hFE massimo
750
Ic(impulso)
6A
Marcatura del produttore
BD681
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
40W
Polarità
bipolari
Potenza
40W
Quantità per scatola
1
Resistenza BE
R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms
RoHS
Serie
BD681
Spec info
transistor complementare (coppia) BD682
Temperatura massima
+150°C.
Tensione (collettore - emettitore)
100V
Tensione collettore-emettitore Uceo [V]
100V
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
2.5V
Tipo di montaggio
montaggio a foro passante su PCB
Tipo di transistor
NPN
Tipo
transistor Darlington
Transistor Darlington?
VCBO di tensione-base Collector
100V
Vcbo
100V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics