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Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V - BCP54-16

Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V - BCP54-16
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Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V - BCP54-16. Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Funzione: applicazioni audio, telefonia e automobilistiche. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: BCP54/16. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BCP51-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 02:25.

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BCP56-16

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Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: SO...
BCP56-16
Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Funzione: applicazioni audio, telefonia e automobilistiche. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: BCP56/16. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BCP53-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
BCP56-16
Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Funzione: applicazioni audio, telefonia e automobilistiche. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: BCP56/16. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BCP53-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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RoHS: sì. Peso: 10g...
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Capacità: 100.0nF. Alloggiamento: SMD 0603. Altezza esterna [mm]: 0.9mm. Passo: 0.4mm (min.). Campo...
CC0603KRX7R7BB104
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CC0603KRX7R7BB104
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VNN1NV04PTR
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TP2808HQN

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Funzione: microcontrollore. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficia...
TP2808HQN
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TINE1-100GR-0-5

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Diametro: 0.5mm. Peso: 100g. Tipo: Senza piombo. Eutettico: NINCS. Capacità del flusso di saldatura...
TINE1-100GR-0-5
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