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Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V - BCP54-16

Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V - BCP54-16
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Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V - BCP54-16. Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Funzione: applicazioni audio, telefonia e automobilistiche. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: BCP54/16. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.35W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BCP51-16. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore Nxp Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 09/06/2025, 03:25.

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BCP56-16

BCP56-16

Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: SO...
BCP56-16
Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Costo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Funzione: applicazioni audio, telefonia e automobilistiche. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: BCP56/16. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.35W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BCP53-16. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
BCP56-16
Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Costo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Funzione: applicazioni audio, telefonia e automobilistiche. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: BCP56/16. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.35W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BCP53-16. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
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BCP53-16

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BCP53-16
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BCP53-16
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IRFB4020

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Transistor a canale N, 13A, 18A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=...
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BC847C

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Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 45V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: ...
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BC847C
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Esaurito
WPR-10GRAM

WPR-10GRAM

Funzione: pasta termica adesiva. RoHS: sì. Peso: 10g...
WPR-10GRAM
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WPR-10GRAM
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WPS-1KG

WPS-1KG

Funzione: grasso siliconico termicamente conduttivo. Nota: 1kg. Peso: 1kg. Temperatura di funzioname...
WPS-1KG
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WPS-1KG
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CC0603KRX7R7BB104

CC0603KRX7R7BB104

Capacità: 100.0nF. Voltaggio CC: 16VDC. Coefficiente di temperatura: X7R. Tolleranza: ±10%. Allogg...
CC0603KRX7R7BB104
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CC0603KRX7R7BB104
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VNN1NV04PTR

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Transistor a canale N, 1.7A, 75uA, 0.25 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. ID (T=25°C): 1.7A. ...
VNN1NV04PTR
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TP2808HQN

TP2808HQN

Funzione: microcontrollore. Numero di terminali: 44. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componen...
TP2808HQN
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TINE1-100GR-0-5

TINE1-100GR-0-5

Diametro: 0.5mm. Peso: 100g. Tipo: Senza piombo. Eutettico: NINCS. Capacità del flusso di saldatura...
TINE1-100GR-0-5
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TINE1-100GR-0-5
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