Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V - 2N6520

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V - 2N6520
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Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V - 2N6520. Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Diodo BE: NINCS. C(in): 100pF. Costo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 15. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2N6517. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 350V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 09:25.

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Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Diodo BE: NINCS. Costo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 25. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 350V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 6V
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Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Diodo BE: NINCS. Costo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 25. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 350V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 6V
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