Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 6.58€ | 8.03€ |
2 - 2 | 6.25€ | 7.63€ |
3 - 4 | 5.92€ | 7.22€ |
5 - 9 | 5.59€ | 6.82€ |
10 - 19 | 5.46€ | 6.66€ |
20 - 20 | 5.33€ | 6.50€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 6.58€ | 8.03€ |
2 - 2 | 6.25€ | 7.63€ |
3 - 4 | 5.92€ | 7.22€ |
5 - 9 | 5.59€ | 6.82€ |
10 - 19 | 5.46€ | 6.66€ |
20 - 20 | 5.33€ | 6.50€ |
Transistor NPN, 0.4A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 20V - 2N5109. Transistor NPN, 0.4A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 20V. Corrente del collettore: 0.4A. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1.2GHz. Guadagno hFE massimo: 210. Guadagno hFE minimo: 70. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 3V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 07:25.
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