Transistor MOSFET IRF7317. Alloggiamento: SO. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 780pF. Costo): 430pF. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Diodo Trr (min.): 47 ns. Funzione: 0.029R & 0.58R. Numero di terminali: 8:1. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 2. RoHS: sì. Tecnologia: N&P-HEXFET Power MOSFET. Tipo di canale: N-P. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 18/12/2025, 19:08