Transistor IGBT FGA40N65SMD-DIóDA

Transistor IGBT FGA40N65SMD-DIóDA. Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3PN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FGA40N65SMD. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 650V. Corrente collettore Ic [A]: 40A. Corrente massima del collettore (A): 60.4k Ohms. Tempo di accensione ton [nsec.]: 16 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 120ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 174W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Prodotto originale del produttore Onsemi. Quantità in stock aggiornata il 06/06/2025, 02:25.