Transistor a canale P YJP30GP10A, -100V, 30A, TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): -100V. Corrente di assorbimento massima: 30A. Alloggiamento: TO-220AB. Potenza: 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.056 Ohms. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Prodotto originale del produttore: Yangjie Electronic Technology. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 04:28