Transistor a canale P, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V - SI9407BDY

Transistor a canale P, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V - SI9407BDY. Transistor a canale P, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V. ID (T=25°C): 4.7A. Idss (massimo): 10nA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 600pF. Costo): 70pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 30 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 3.8A. ID (min): 1nA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.2W. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 04:25.