Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.18€ | 1.44€ |
5 - 9 | 1.13€ | 1.38€ |
10 - 24 | 1.07€ | 1.31€ |
25 - 49 | 1.01€ | 1.23€ |
50 - 99 | 0.98€ | 1.20€ |
100 - 249 | 0.96€ | 1.17€ |
250 - 2126 | 0.91€ | 1.11€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.18€ | 1.44€ |
5 - 9 | 1.13€ | 1.38€ |
10 - 24 | 1.07€ | 1.31€ |
25 - 49 | 1.01€ | 1.23€ |
50 - 99 | 0.98€ | 1.20€ |
100 - 249 | 0.96€ | 1.17€ |
250 - 2126 | 0.91€ | 1.11€ |
Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-23, -12V, -7.1A - SI2333CDS-T1-GE3. Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-23, -12V, -7.1A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -7.1A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 3. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ -5.1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -1V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 70 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1225pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 13:25.
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