Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.48€ | 1.81€ |
5 - 9 | 1.41€ | 1.72€ |
10 - 24 | 1.36€ | 1.66€ |
25 - 49 | 1.33€ | 1.62€ |
50 - 99 | 1.30€ | 1.59€ |
100 - 249 | 0.84€ | 1.02€ |
250 - 14933 | 0.81€ | 0.99€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.48€ | 1.81€ |
5 - 9 | 1.41€ | 1.72€ |
10 - 24 | 1.36€ | 1.66€ |
25 - 49 | 1.33€ | 1.62€ |
50 - 99 | 1.30€ | 1.59€ |
100 - 249 | 0.84€ | 1.02€ |
250 - 14933 | 0.81€ | 0.99€ |
Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-23, -30V, -2.7A - SI2307CDS. Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-23, -30V, -2.7A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.7A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: N7. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.138 Ohms @ -2.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 60 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 40 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 340pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 15:25.
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