Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale P, 3.4A, 3.4A, 250V - SFS9634

Transistor a canale P, 3.4A, 3.4A, 250V - SFS9634
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Transistor a canale P, 3.4A, 3.4A, 250V - SFS9634. Transistor a canale P, 3.4A, 3.4A, 250V. ID (T=25°C): 3.4A. Idss (massimo): 3.4A. Voltaggio Vds(max): 250V. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. ID (T=100°C): 2.6A. Nota: On 13ns, Off 40ns. Pd (dissipazione di potenza, massima): 33W. Rds sulla resistenza attiva: 1.3 Ohms. Tecnologia: V-MOS TO220F. Prodotto originale del produttore Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 15:25.

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IRFI9634G

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Transistor a canale P, 4.1A, 4.1A, TO-220FP, TO-220F, 250V. ID (T=25°C): 4.1A. Idss (massimo): 4.1A...
IRFI9634G
Transistor a canale P, 4.1A, 4.1A, TO-220FP, TO-220F, 250V. ID (T=25°C): 4.1A. Idss (massimo): 4.1A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 250V. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: td(on) 12ns, td(off) 34ns. ID (T=100°C): 2.6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET
IRFI9634G
Transistor a canale P, 4.1A, 4.1A, TO-220FP, TO-220F, 250V. ID (T=25°C): 4.1A. Idss (massimo): 4.1A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 250V. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: td(on) 12ns, td(off) 34ns. ID (T=100°C): 2.6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET
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Transistor a canale P, 6A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 100uA....
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Transistor a canale P, 6A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 100uA. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 250V. C(in): 1040pF. Costo): 360pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: SWITCHING, POWER MOS FET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 24A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 0.55 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 47 ns. Td(acceso): 24 ns. Tecnologia: P-CHANNEL POWER MOS FET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/source (spenta) min.: 4 v
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Transistor a canale P, 6A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 100uA. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 250V. C(in): 1040pF. Costo): 360pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: SWITCHING, POWER MOS FET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 24A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 0.55 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 47 ns. Td(acceso): 24 ns. Tecnologia: P-CHANNEL POWER MOS FET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/source (spenta) min.: 4 v
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