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Transistor a canale P, 3.5A, 1uA, TSOP, TSMT6, 30 v - RSQ035P03

Transistor a canale P, 3.5A, 1uA, TSOP, TSMT6, 30 v - RSQ035P03
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Transistor a canale P, 3.5A, 1uA, TSOP, TSMT6, 30 v - RSQ035P03. Transistor a canale P, 3.5A, 1uA, TSOP, TSMT6, 30 v. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: TSOP. Custodia (secondo scheda tecnica): TSMT6. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 780pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. Protezione drain-source: diodo. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitore di tensione CC-CC. Id(imp): 14A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: TM. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.25W. Rds sulla resistenza attiva: 65m Ohms. RoHS: sì. Passo: 2.9x1.6mm. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 6. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 3000. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 13:25.

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Transistor a canale P, 4.3A, 1uA, TSOP, SUPERSOT-6, 35V. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (massimo): 1uA. Al...
FDC365P
Transistor a canale P, 4.3A, 1uA, TSOP, SUPERSOT-6, 35V. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: TSOP. Custodia (secondo scheda tecnica): SUPERSOT-6. Voltaggio Vds(max): 35V. C(in): 530pF. Costo): 105pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 16 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (min): 1uA. Nota: serigrafia/codice SMD 365P. Marcatura sulla cassa: 365 P. Numero di terminali: 6. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.6W. Rds sulla resistenza attiva: 0.045 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: PowerTrench® MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Funzione: Convertitori, Alimentatori. Protezione GS: NINCS
FDC365P
Transistor a canale P, 4.3A, 1uA, TSOP, SUPERSOT-6, 35V. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: TSOP. Custodia (secondo scheda tecnica): SUPERSOT-6. Voltaggio Vds(max): 35V. C(in): 530pF. Costo): 105pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 16 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (min): 1uA. Nota: serigrafia/codice SMD 365P. Marcatura sulla cassa: 365 P. Numero di terminali: 6. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.6W. Rds sulla resistenza attiva: 0.045 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: PowerTrench® MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Funzione: Convertitori, Alimentatori. Protezione GS: NINCS
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