Transistor a canale P, TO-220FP, TO-220F, 630V - RJP63F4A

Transistor a canale P, TO-220FP, TO-220F, 630V - RJP63F4A. Transistor a canale P, TO-220FP, TO-220F, 630V. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 630V. C(in): 1250pF. Costo): 40pF. Diodo CE: NINCS. Tipo di canale: P. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 40A. Ic(impulso): 200A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Spec info: Panasonic--TX-P50VT20EA. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 20 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.7V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 30 v. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Prodotto originale del produttore Panasonic. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 15:25.