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Transistor a canale P, 3.7A, 25uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V - IRLML6402

Transistor a canale P, 3.7A, 25uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V - IRLML6402
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Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
1 - 9 0.35€ 0.43€
10 - 24 0.33€ 0.40€
25 - 49 0.32€ 0.39€
50 - 99 0.30€ 0.37€
100 - 249 0.29€ 0.35€
250 - 309 0.26€ 0.32€
Qnéuantità U.P
1 - 9 0.35€ 0.43€
10 - 24 0.33€ 0.40€
25 - 49 0.32€ 0.39€
50 - 99 0.30€ 0.37€
100 - 249 0.29€ 0.35€
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Transistor a canale P, 3.7A, 25uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V - IRLML6402. Transistor a canale P, 3.7A, 25uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. ID (T=25°C): 3.7A. Idss (massimo): 25uA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Voltaggio Vds(max): 20V. C(in): 633pF. Costo): 145pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 22A. ID (T=100°C): 2.2A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Rds sulla resistenza attiva: 0.05 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 588 ns. Td(acceso): 350 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vgs(esimo) massimo: 1.2V. Vgs(esimo) min.: 0.4V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 23:25.

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