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Transistor a canale P, 3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v - IRLML5203

Transistor a canale P, 3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v - IRLML5203
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Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
1 - 9 0.33€ 0.40€
10 - 24 0.32€ 0.39€
25 - 49 0.30€ 0.37€
50 - 99 0.28€ 0.34€
100 - 249 0.28€ 0.34€
250 - 263 0.27€ 0.33€
Qnéuantità U.P
1 - 9 0.33€ 0.40€
10 - 24 0.32€ 0.39€
25 - 49 0.30€ 0.37€
50 - 99 0.28€ 0.34€
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Set da 1

Transistor a canale P, 3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v - IRLML5203. Transistor a canale P, 3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 5uA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 510pF. Costo): 71pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 17 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 2.4A. ID (min): 1uA. Nota: serigrafia/codice SMD H. Marcatura sulla cassa: H. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.25W. Rds sulla resistenza attiva: 0.098 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 52 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 21:25.

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