Transistor a canale P, 0.1A, 0.1A, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V - IRFD9120

Transistor a canale P, 0.1A, 0.1A, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V - IRFD9120. Transistor a canale P, 0.1A, 0.1A, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. ID (T=25°C): 0.1A. Idss (massimo): 0.1A. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaggio Vds(max): 100V. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: FET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. ID (T=100°C): 0.6A. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Rds sulla resistenza attiva: 0.6 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Prodotto originale del produttore International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 22:25.