Transistor a canale P, 1.8A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V - IRFD9024

Transistor a canale P, 1.8A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V - IRFD9024. Transistor a canale P, 1.8A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. ID (T=25°C): 1.8A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 570pF. Costo): 360pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 100dB. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: FET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 13A. ID (T=100°C): 1.1A. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Rds sulla resistenza attiva: 0.28 Ohms. RoHS: sì. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Prodotto originale del produttore International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 22:25.