Transistor a canale P, 1.1A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V - IRFD9014

Transistor a canale P, 1.1A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V - IRFD9014. Transistor a canale P, 1.1A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. ID (T=25°C): 1.1A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 270pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 100dB. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: FET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 8.8A. ID (T=100°C): 0.8A. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Rds sulla resistenza attiva: 0.50 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Prodotto originale del produttore International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 15:25.