Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.38€ | 1.68€ |
5 - 9 | 1.31€ | 1.60€ |
10 - 24 | 1.27€ | 1.55€ |
25 - 49 | 1.24€ | 1.51€ |
50 - 99 | 1.22€ | 1.49€ |
100 - 249 | 1.07€ | 1.31€ |
250 - 644 | 1.03€ | 1.26€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.38€ | 1.68€ |
5 - 9 | 1.31€ | 1.60€ |
10 - 24 | 1.27€ | 1.55€ |
25 - 49 | 1.24€ | 1.51€ |
50 - 99 | 1.22€ | 1.49€ |
100 - 249 | 1.07€ | 1.31€ |
250 - 644 | 1.03€ | 1.26€ |
Transistor a canale P, 19A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V - IRF9Z34NS. Transistor a canale P, 19A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=25°C): 19A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 620pF. Costo): 280pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 54ms. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 14A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 68W. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Prodotto originale del produttore International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 15:25.
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