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Infineon (irf)

Transistor a canale P IRF9953, SO8

Riferimento prodotto : IRF9953
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Descrizione tecnica del prodotto (IRF9953):

Transistor a canale P IRF9953, SO8. Alloggiamento: SO8. Assemblaggio/installazione: SMD. Carica: 6.1nC. DRUCE CORRENTE: -2.3A. Polarità: unipolari. Potenza: 2W. Resistenza termica: 62.5K/W. RoHS: sì. Tensione di gate-source: 20V. Tensione drain-source: -30V