Transistor a canale P, 6.5A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF9630

Transistor a canale P, 6.5A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF9630. Transistor a canale P, 6.5A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 700pF. Costo): 200pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 26A. ID (T=100°C): 4A. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 74W. Rds sulla resistenza attiva: 0.8 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 28 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 13:25.